调研纪要

以下为专家观点

纳微在氮化镓领域的行业地位如何？其产品应用有哪些突破性进展？

纳微是全球首家将高压氮化镓（650伏）应用于手机快充和旅行充电器领域并成功落地的公司，同时也是首家将氮化镓用于电动汽车OBC（车载充电器）应用的企业。其在高压氮化镓领域处于领先地位，并正在积极拓展数据中心及其他高压应用场景。

台积电计划退出氮化镓代工业务对纳微有何影响？目前面临哪些挑战？

台积电计划于2026年底至2027年初退出氮化镓代工业务，这对纳微提出了快速切换至其他晶圆厂（fab）的迫切需求。此外，在消费类市场中，由于国内厂商的激烈竞争，成本压力显著增加，导致利润空间受限。整体消费类市场呈现快速下滑趋势。为应对这些挑战，公司正重点布局低压氮化镓（如100伏）和高压氮化镓在数据中心等新兴领域的应用。

在数据中心场景中，纳微与英飞凌、英诺赛科等竞争对手相比有哪些优势？

数据中心中的低压氮化镓（100伏及以下）市场，目前英诺赛科表现突出，其进入服务器电源行业速度最快。而纳微已完成100伏器件的研发，并于2025年12月发布了相关产品。在欧美主导的终端市场中，由于欧美厂商对国内厂商存在一定顾虑，因此更倾向选择纳微或英飞凌作为二供。此外，在高压氮化镓领域，纳微凭借稳定性和可靠性优势，与头部方案厂商合作开发了6.6千瓦OBC项目，并已实现量产装车。

高压氮化镓650伏市场中，各主要厂商之间竞争格局如何？

在650伏高压氮化镓市场中，纳微、英飞凌和英诺赛科各具优势。英诺赛科通过自有外延晶圆生产降低成本，在价格上具有竞争力；英飞凌作为老牌功率半导体大厂，其品牌信任度较高，更容易获得新项目机会；而纳微则凭借技术稳定性和可靠性占据一定优势。

英飞凌在动态内阻漂移控制方面取得了哪些进展？这对行业意味着什么？

英飞凌最新一代产品据称能够将动态内阻漂移控制在10%以内，而当前业界普遍水平为20%~40%。这一改进可能得益于其材料、设计及工艺上的创新。如果这一性能指标能够实现量产，将显著提升器件可靠性并延长系统寿命。然而，目前尚无明确量产时间表及良率信息，因此具体影响仍需观察。

动态内阻漂移会带来哪些问题？为何需要特别关注这一指标？

动态内阻漂移是指器件在高温或动态开关条件下，其内阻发生变化，例如增大或翻倍。这种变化可能导致器件失效或系统寿命缩短。因此，对动态内阻漂移进行有效控制是提升功率半导体性能与可靠性的关键因素之一。

当前倒装芯片封装技术的第四代产品在良率控制方面表现如何？在筛选条件较为严苛的情况下，良率损失情况如何？

在倒装芯片封装技术的第四代产品中，如果筛选条件较为严苛，良率损失可以控制在20%以内。但如果需要保持一个较高的良率水平，则可能会有部分样品出现漂移至30%的情况。

功率半导体领域中，RT漂移指标的重要性如何？

RT漂移是功率半导体领域中的一个关键技术指标，其重要性贯穿于所有相关应用中。该指标直接影响器件性能和可靠性，是评估产品质量的重要参数。

纳微在高压氮化镓和碳化硅领域的发展现状如何？其与英伟达及其他方案商的合作进展到什么程度？

纳微目前在高压氮化镓和碳化硅领域均有布局。在美国，其团队正在进行包括1,700伏、2,300伏以及3,300伏等高压碳化硅项目的开发，这些项目已经具备落地能力，并与英伟达及相关方案商保持密切合作，每月定期进行现场交流以跟进项目进度。在低压氮化镓方面，纳微主要作为英飞凌和英诺赛科的二供或三供角色。

在市场份额上，高压碳化硅和低压氮化镓分别处于什么位置？纳微为何未能占据更大的市场份额？

高压碳化硅方面，由于纳微拥有完整产品线，包括超高压器件（如6,500伏），其市场角色通常为一供，但整体市场份额约为50%-60%。低压氮化镓方面，纳微作为二供或三供，其市场份额通常仅为10%-20%。造成这一现象的原因包括：1）功率半导体行业整体技术门槛相对较低，对成本敏感；2）竞争对手如英诺赛科已实现量产并抢占先机；3）尽管纳微具备强大的研发能力，但工程落地能力相对不足。

纳微在碳化硅技术上的优势体现在哪些方面？其历史背景对当前技术发展有何影响？

纳微通过收购一家公司进入碳化硅领域。该公司专注于器件研发，并结合平面型与沟槽型结构开发出独特的“沟槽辅助平面”器件。这种结构具有多项专利，在高温下表现出优异的RT漂移控制及热特性。然而，该团队虽然擅长研究，但工程落地能力稍显不足。此外，该公司最早从军方资助起步，开发了6,500伏级别高压碳化硅器件，这种从高压向低压发展的路径也使其具备一定优势。

碳化硅和氮化镓未来成本下降趋势如何？国内厂商目前在不同电压等级上的竞争力表现怎样？

目前1,200伏以下级别（如650伏、1,200伏）的碳化硅器件国内厂商已能做到接近国际领先水平，但1,700伏以上级别仍存在一定差距，例如2,300伏或3,300伏级别尚未实现大规模生产。在成本方面，目前国内厂商普遍亏损销售以争取市场份额，而价格已接近甚至略低于国际巨头如Cree、Infineon等。

当前碳化硅的成本是否已经达到瓶颈？在国家补贴可能逐步减少的情况下，行业内小型厂商的生存状况及市场价格会如何变化？

碳化硅的成本目前确实已接近瓶颈。未来如果国家停止部分补贴，一些小型厂商可能会退出市场，这可能导致价格出现一定程度的回弹，但幅度不会太大。这是因为前期国内在碳化硅领域投入了大量资源，包括地方政府的大量资金支持和基础设施建设。

氮化镓未来的成本下降趋势如何？是否有具体的数据预期？

氮化镓的成本预计每年将以10%至15%的速度下降，这是较为保守的估计。一些更为激进的预测认为每年可下降20%，但这种情况不太现实。目前来看，氮化镓在制造工艺上的改进和规模效应将持续推动其成本降低。

当前氮化镓与碳化硅在晶圆制造方面有哪些主要差异？尤其是在6英寸与8英寸晶圆之间。

目前纳微使用的是台积电6英寸晶圆，而国内如英诺赛科则已采用8英寸晶圆。相比之下，6英寸晶圆的制造成本约为8英寸晶圆的一倍。此外，随着晶圆尺寸增加，例如从6英寸升级到8英寸，其单位面积内切割出的器件数量更多，从而显著降低了单个器件的生产成本。因此，在制造环节中，8英寸晶圆具有明显优势。

氮化镓与碳化硅在应用领域上有哪些主要区别？氮化镓未来可能拓展至哪些新兴领域？

碳化硅目前主要应用于汽车和工业领域，由于其高昂成本，这些高端应用成为其核心市场。而氮化镓相对便宜，其应用范围更广泛，目前已覆盖手机充电器等消费电子产品。未来，氮化镓有望进一步渗透至白色家电等消费品以及低端工业领域，并逐步替代传统硅基MOS器件。在长远发展中，氮化镓预计将在消费电子和低端工业市场占据主导地位，仅在少数要求极高或特殊场景下无法完全替代。

数据中心中的HVDC（高压直流）系统设计中，供应链管理及关键元器件选择由谁主导？具体流程如何？

数据中心HVDC系统架构由终端客户（如英伟达）定义，而具体元器件选择则由几大电源厂商（如台达）与终端客户共同决定。供应链管理方面，终端客户通常会提供一个核准供应商名单，而最终选用哪家供应商产品则由电源厂商根据自身测试结果决定。例如台达会对不同供应商产品进行详细测试，并向终端客户报告其评估结果，从而影响最终决策。

在第三代半导体中，如氮化镓和碳化硅，其材料、架构设计、制造及软件能力的重要性排序如何？

对于碳化硅而言，其最核心环节是衬底（substrate）的制造质量，包括缺陷密度及缺陷管控能力，这直接决定了器件能否实现高耐压等级（如1,200V、1,700V等）。对于氮化镓来说，则是外延层质量，包括缓冲层设计及IP一致性控制。这两者均属于材料环节，是最重要因素。其次是器件结构设计，例如沟槽型或平面型结构，以及栅极设计等细节优化。软件能力虽然重要，但更多体现在应用层面，例如服务器电源中的控制算法开发，相较于材料和结构设计，其权重稍低。

英飞凌、纳微、英诺赛科等公司在低压氮化镓技术上的竞争态势如何？各自的发展阶段有何差距？

在低压氮化镓技术上，目前领先者为英诺赛科，该公司早在2024年便发布相关产品，并于2025年开始小规模量产并出货。而纳微直到2025年底才完成100V级别产品可靠性测试，并计划于2026年第一季度至第二季度实现量产。从时间节点来看，纳微比英诺赛科落后约1至2年的时间。此外，在数据中心场景中，由于先发优势以及专利布局，预计短期内仍以英诺赛科占据领先地位，而其他公司则需争夺次级市场份额。

高压碳化硅和氮化镓在中压应用中的市场格局如何？目前中压领域的竞争态势是怎样的？

在中压应用领域，目前650伏以内的场景，氮化镓已经可以广泛应用，并且技术较为成熟。对于650伏以下的中压市场，现有产品基本能够满足需求，因此竞争主要集中在价格层面。相比之下，低压领域尚未完全成熟，但近年来随着英诺赛科等企业的推动，低压市场逐渐发展起来。

在汽车和数据中心场景下，高性能功率器件（如氮化镓、碳化硅）的技术要求和市场表现有何差异？

汽车场景对功率器件的要求更为严格，例如车规级标准对测试项目和规格均有更高要求，这需要深厚的技术积累。而数据中心虽然也对可靠性有较高需求，但容错率相对汽车场景稍低。在数据中心电源应用中，如果采用与车规相同的标准进行设计，纳微仍具有一定领先优势。然而，当规模扩大到海量出货时，由于成本敏感性增加，客户可能不会为每颗器件额外支付较高溢价。

纳微在氮化镓领域是否具备优势，其领先地位体现在哪些方面？

纳微在氮化镓领域具有显著优势。例如，自2024年以来，其产品已被台达等客户测试多年，并成功应用于一些小型项目。此外，在白色家电领域，其氮化镓器件已被戴森吹风机采用，每年贡献营收几千万美金。此外，其产品还被用于科沃斯扫地机器人充电模块等高端家电项目，这些项目虽然出货量不大，但对公司毛利贡献显著。

在不同电压等级下，各企业在功率半导体市场中的竞争格局如何？

在650伏以下低压领域，英诺赛科处于领先地位；而在超高压碳化硅（如3,300伏及以上）方面，纳微拥有明显优势。目前全球能够实现3,300伏碳化硅量产的企业仅包括科锐、纳微，以及可能涉及相关研发但尚未见到实际成果的STMicroelectronics。在1,700伏至2,200伏区间，也只有少数几家公司具备量产能力，包括科锐、纳微以及STMicroelectronics。纳微通过独特架构设计，将沟槽和平面工艺结合，在专利层面形成了壁垒。

氮化镓未来的发展空间如何？其消费端市场规模预计会达到多大？

氮化镓目前尚未完全实现大规模商业落地，但其潜力巨大。在消费端，如白色家电、机器人等领域，到2030年预计整个氮化镓器件市场规模可达几十亿美金，而当前（2026年）仅约几亿美金。然而，公司战略显示，对于手机充电器等消费类产品，由于利润空间有限，将逐步放弃国内品牌，仅保留苹果、三星等溢价能力较强客户，同时转向专注工业级、高端家电及算力中心相关应用。

碳化硅未来的发展前景如何？其主要应用方向有哪些？

碳化硅主要集中于高端应用，包括数据中心和电网。到2030年，该市场整体规模预计可达22亿美金，其中数据中心占据重要份额。由于碳化硅适用于高性能、高可靠性的场景，其增长潜力主要来自这些关键行业。同时，公司战略显示，将逐步减少消费类业务投入，全力聚焦数据中心与电网两大核心方向，以应对行业转型需求并提升盈利能力。

功率半导体行业是否需要走IDM模式以提升竞争力？头部厂商目前采取何种策略布局生产能力？

功率半导体行业最终竞争将围绕成本展开，因此IDM模式成为关键路径之一。例如英飞凌等头部厂商均采取IDM模式，通过自建晶圆厂降低生产成本并提高工艺稳定性。对于氮化镓而言，由于需要大规模出货以实现盈利，自建FAB尤为重要，这不仅能优化工艺参数，还能有效控制成本。目前来看，不少企业已开始布局自有生产线以增强长期竞争力。

假设消费市场的份额目标是10%，是否有实现的可能性？目前消费市场的实际情况如何？

从整体来看，消费市场要达到10%的份额几乎不可能实现。目前来看，2024年的消费市场占比大约在30%-40%之间，但这一领域的业务已经逐渐萎缩。

对于公司的管理团队及其经营管理和技术研发能力有何评价？

公司自2025年9月Chris上任以来进行了大刀阔斧的改革。他调整了战略方向，将资源从不断萎缩的消费类市场转向工业、汽车和数据中心等领域。同时，他对供应链和组织架构进行了全面重组，引入的新成员多来自瑞萨电子和Intel等企业。Chris A风格强硬，但注重倾听员工意见，并深入了解基层状况。他对碳化硅和氮化镓业务进行了整合，并优化了组织架构。

公司目前在技术研发方面有哪些进展或挑战？

在技术研发方面，公司专注于AI生产，与欧美主要企业如英伟达保持技术交流，同时加大对台湾地区厂商如台达电子的资源投入。在氮化镓高压产品（650伏）的研发上，目前主要依赖台积电（TSMC）的制程工艺。然而，由于台积电计划在2027年停止相关生产，公司需要在剩余时间内完成美国GlobalFoundries 8英寸晶圆厂氮化镓外延及整体制程工艺的无缝衔接。如果无法顺利完成，这条高压氮化镓产品线将面临停滞风险。