费曼架构深度调研：3D SRAM容量迈向GB时代，混合键合与定制化HBM成关键

本文深入探讨了英伟达费曼（Feymann）新架构下的存储革新。专家指出，通过混合键合（Hybrid Bonding）技术，3D SRAM将与计算芯片垂直堆叠，容量预期可达4GB至8GB，甚至冲击10GB。相比3D DRAM，3D SRAM在供电与散热方面更具优势，且能与HBM形成互补：SRAM负责高带宽、低延迟的片上缓存，HBM则提供大容量存储支持。

此外，借助定制化HBM与静态图编译预取技术，新架构将大幅提升计算单元利用率，解决长上下文推理中的访存瓶颈，为高性能AI计算带来重大突破。