摘要
【开源电子】为什么要重视半导体零部件--射频电源（2） 首先是刻蚀与薄膜沉积次数的提升，举个例子28nm刻蚀步骤为70道，薄膜沉积步骤为90道，到7nm提升到140道刻蚀与170道薄膜沉积，基本翻倍。其次是复杂程度的提升，带动电源解耦，分为高低频甚至多频进行频率调制，工艺往先进迭代的过程中量会非线性提升。 复杂微观结构带动脉冲控制（防止孔刻歪或过刻蚀）、功率提升（提高深宽比、效率）、扫频功能（
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